。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压体现低触摸电阻，反之为高触摸电阻。

　　(4)反向击穿区V-VR，VR称为反向击穿电压;VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一向增加使V-VR时，则呈现IR猛地增加而呈现击穿现象。因为所用化合物资料品种不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。

　　LED作业时，外加偏压、偏流必定促进载流子复合宣布光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境和温度为Ta，则当TjTa时，内部热量凭借管座向外传热，散逸热量(功率)，可表示为P=KT(Tj-Ta)。

　　呼应时刻表征某一显现器盯梢外部信息改变的快慢。现有几种显现LCD(液晶显现)约10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都到达10-6~10-7S(us级)。

　　①呼应时刻从运用视点来看，便是LED点亮与平息所推迟的时刻，即图中tr、tf。图中t0值很小，可疏忽。

　　LED的点亮时刻--上升时刻tr是指接通电源使发光亮度到达正常的10%开端，一向到发光亮度到达正常值的90%所阅历的时刻。

　　LED平息时刻--下降时刻tf是指正常发光削弱至本来的10%所阅历的时刻。

　　发光二极管有红外(非可见)与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来测量其光学特性。

　　2.1.1 发光强度(法向光强)是表征发光器材发光强弱的重要功能。LED很多使用要求是圆柱、圆球封装，因为凸透镜的效果，故都具有很强指向性：坐落法向方向光强最大，其与水平面交角为90。当违背正法向不同视点，光强也随之改变。发光强度跟着不同封装形状而强度依靠角方向。

　　2.1.2 发光强度的角散布I是描绘LED发光在空间各个方向上光强散布。它首要依据封装的工艺(包含支架、模粒头、环氧树脂中增加散射剂与否)

　　⑴LED发光强度或光功率输出跟着波长改变而不同，绘成一条散布曲线--光谱散布曲线。当此曲线确认之后，器材的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。

　　LED的光谱散布与制备所用化合物半导体品种、性质及pn结结构(外延层厚度、掺杂杂质)等有关，而与器材的几许形状、封装方法无关。

　　下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱呼应曲线。其间LED光谱散布曲线